检测内容

1. 设计验证与仿真测试

功能验证：使用高级硬件描述语言（如Verilog, VHDL）和验证方法学（如UVM）搭建测试平台（Testbench），注入大量测试向量，验证电路逻辑功能是否符合设计规范。

时序验证：通过静态时序分析（STA）工具，在考虑工艺偏差、电压波动和温度变化（PVT）等条件下，验证电路在所有角落（Corner）情况下是否都能满足时序要求，避免建立时间和保持时间违例。

可测性设计（DFT）：

扫描链测试（Scan Chain）：将芯片内部的寄存器连接成链，通过扫描输入和输出测试向量，检测制造过程中产生的固定型故障（Stuck-at fault）。

内建自测试（BIST）：特别是在存储器（MBIST）和逻辑电路（LBIST）中，集成额外的自测试电路，在上电或运行时进行自我检测。

边界扫描测试（JTAG）：主要用于检测PCB板上芯片之间的互联故障。

2. 晶圆级测试

参数测试：测试晶体管、电阻、电容等基本元件的电学参数（如阈值电压、漏电流、导通电阻等）是否在规格范围内。

功能测试：使用精密探针台（Prober）和测试机（Tester）对晶圆上的每一个芯片裸片（Die）进行基本的功能测试，筛选出功能失效的芯片。

3. 成品测试

全面功能测试：在更接近实际应用的条件下，运行所有设计的功能模式，确保芯片100%符合数据手册（Datasheet）上的所有规范。

参数测试：精确测试直流（DC）和交流（AC）参数，如输入输出电平、功耗、延迟时间、驱动能力等。

可靠性测试：模拟芯片在整个生命周期中可能遇到的严苛环境，评估其可靠性和寿命。

HTOL：高温工作寿命测试。在高温下加电满载运行，加速其老化过程，预测故障率（FIT）。

ELFR：早期失效率测试。快速筛选出存在潜在缺陷的“婴儿期”失效产品。

HAST：高加速温湿度应力测试。用高温高湿高压环境检验封装密封性和抗湿气能力。

TC：温度循环测试。让芯片在极端高低温之间循环变化，检验因材料热膨胀系数不匹配导致的失效（如焊点开裂）。

ESD：静电放电测试。测试芯片抗静电能力，确保符合人体模型（HBM）、机器模型（MM）、器件充电模型（CDM）等标准。

Latch-up：闩锁效应测试。检验芯片抗闩锁能力。

4. 破坏性物理分析（DPA）与失效分析（FA）

DPA：从一批次产品中抽样，进行解封装、内部目检、材料成分分析等，旨在发现工艺、材料、设计或制造中的系统性缺陷，防止整批产品存在共同隐患。

FA：针对测试或使用中出现的个别失效芯片，利用X光、声学扫描显微镜（SAM）、扫描电子显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等先进设备，定位并分析失效的具体物理原因，为改进设计和工艺提供反馈。

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